这时,一直没说话的夏培肃开口道“庞总,你的意思是,星环科技未来的发展方向是开发一种全新的互联网终端,并且依靠这种终端,支撑起一个全新的系统和指令集架构体系,并且形成生态闭环?”
庞学林笑着点了点头,说道“没错,就是这个意思。”
夏培肃皱眉道“如果这样的话,那段时间内,海思半导体只有投入,没有产出,你能撑多久?”
庞学林微微一笑,说道“这个不难,华威接下来准备进军移动通信运营商业务,有很多芯片都需要从国外采购,海思半导体可以承接部分芯片比如dsp芯片,asic芯片,fpga芯片等等的研发工作。另外,在消费者业务领域,我们还准备做快闪储存器以及第二代同步动态随机存取内存。”
“快闪储存?第二代同步动态随机存取内存?”
夏培肃和倪光南对视一眼,均吃了一惊。
快闪储存,指的就是闪存。
在这个时代,这两项技术都尚未完全成熟。
1984年,东芝公司的舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器的概念。
与传统电脑内存不同,闪存的特点是非易失性,其记录速度也非常快。
英特尔是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。
1988年,英特尔公司推出了一款256kbit闪存芯片。
它如同鞋盒一样大小,并被内嵌于一个录音机里。
后来,英特尔发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合epro(可擦除可编程只读存储器)和eepro(电可擦除可编程只读存储器)两项技术,并拥有一个sra接口。
epro是指其中的内容可以通过特殊手段擦去,然后重新写入。
其基本单元电路(存储细胞),常采用浮空栅雪崩注入式os电路,简称为faos。
它与os电路相似,是在n型基片上生长出两个高浓度的p型区,通过欧姆接触分别引出源极s和漏极d。
在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在sio2绝缘层中,与四周无直接电气联接。
这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0,浮空栅极带电后(譬如负电荷),就在其下面,源极和漏极之间感应出正的导电沟道,使os管导通,即表示存入0。
若浮空栅极不带电,则不形成导电沟道,os管不导通,即存入1。
庞学林笑着点了点头,说道“没错,就是这个意思。”
夏培肃皱眉道“如果这样的话,那段时间内,海思半导体只有投入,没有产出,你能撑多久?”
庞学林微微一笑,说道“这个不难,华威接下来准备进军移动通信运营商业务,有很多芯片都需要从国外采购,海思半导体可以承接部分芯片比如dsp芯片,asic芯片,fpga芯片等等的研发工作。另外,在消费者业务领域,我们还准备做快闪储存器以及第二代同步动态随机存取内存。”
“快闪储存?第二代同步动态随机存取内存?”
夏培肃和倪光南对视一眼,均吃了一惊。
快闪储存,指的就是闪存。
在这个时代,这两项技术都尚未完全成熟。
1984年,东芝公司的舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器的概念。
与传统电脑内存不同,闪存的特点是非易失性,其记录速度也非常快。
英特尔是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。
1988年,英特尔公司推出了一款256kbit闪存芯片。
它如同鞋盒一样大小,并被内嵌于一个录音机里。
后来,英特尔发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合epro(可擦除可编程只读存储器)和eepro(电可擦除可编程只读存储器)两项技术,并拥有一个sra接口。
epro是指其中的内容可以通过特殊手段擦去,然后重新写入。
其基本单元电路(存储细胞),常采用浮空栅雪崩注入式os电路,简称为faos。
它与os电路相似,是在n型基片上生长出两个高浓度的p型区,通过欧姆接触分别引出源极s和漏极d。
在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在sio2绝缘层中,与四周无直接电气联接。
这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0,浮空栅极带电后(譬如负电荷),就在其下面,源极和漏极之间感应出正的导电沟道,使os管导通,即表示存入0。
若浮空栅极不带电,则不形成导电沟道,os管不导通,即存入1。